期刊信息
  • 主管单位:
  • 上海市科学技术协会
  • 主办单位:
  • 上海有色金属学会
    上海理工大学
  • 名誉主编:
  • 陈兴章
  • 主    编:
  • 刘平
  • 地    址:
  • 上海市军工路516号
  • 邮政编码:
  • 200093
  • 联系电话:
  • (86)021-55781550
  • 电子邮件:
  • nmme@usst.edu.cn
  • 国际标准刊号:
  • 2096-2983
  • 国内统一刊号:
  • 31-2125/TF
  • 单    价:
  • 8.00
  • 定    价:
  • 60.00
方正华.6英寸重掺Sb衬底外延后表面异常解决[J].有色金属材料与工程,2015,36(2):75-78.
6英寸重掺Sb衬底外延后表面异常解决
Epi Defects Solving for 6″ Heavy-doped Sb Substrate
  
DOI:10.13258/j.cnki.snm.2015.02.007
中文关键词:  基板  外延  气泡状缺陷  外延缺陷  硅晶体
英文关键词:substrate  epitaxy  bubble-liked defects  EPI defects  silicon crystal
基金项目:
作者单位
方正华 上海合晶硅材料有限公司, 上海 201617 
摘要点击次数: 1857
全文下载次数: 1493
中文摘要:
      6英寸Sb(锑)基板是国内半导体分立器件使用的主力材料,此材料主要供客户外延使用.但近期某司的基板在外延后出现表面类似气泡状的缺陷,此缺陷异常,无法抛光去除.文章主要研究此外延缺陷与硅晶体的关系,通过试验分析此异常缺陷出现的原因,找到解决的方法.
英文摘要:
      The 6 inch Sb wafer is the dominating substrate for Discrete Device used for EPI.Bubble-liked defects on this kind of substrate after EPI can not be removed by polishing.Through the experimental analysis of root cause of defects,the paper aims to examine the relationship between EPI defects and silicon crystal so as to find the possible solution.
HTML   查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器