有色金属材料与工程  2025, Vol. 46 Issue (6): 18-23    DOI: 10.13258/j.cnki.nmme.20250219001   PDF    
机器学习辅助的过渡金属掺杂MoS2材料结构筛选:从单原子到双原子掺杂
张锦, 徐京城    
上海理工大学 材料与化学学院, 上海 200093
摘要:为了加快对传感材料结构的设计及气敏性能调控,使用高通量计算结合机器学习的方法研究过渡金属掺杂MoS2气敏材料与吸附气体之间的构效关系。通过构建单原子和双原子过渡金属掺杂MoS2体系(TM-MoS2、TM2-MoS2,TM=V、Mn、Co、Mo、Ru),基于第一性原理计算了3种典型的室内气体污染物HCHO、NH3和H2S的吸附能,并采用4种算法构建了机器学习回归预测模型。使用逐步滤波的特征工程策略,筛选出合理的特征集合提高了机器学习模型的泛化能力。结果表明,XGBoost算法最佳,其在训练集和测试集上的R2分别为0.91和0.78,RMSE值分别为0.15、0.34 eV。使用SHAP分析各特征对回归模型的贡献,其中Ng$ \varepsilon $d的贡献值最大,特征Dg的贡献最小。
关键词机器学习    金属掺杂    气体吸附    MoS2    
Machine learning assisted material structure screening for transition metal doped MoS2: from single-atom to double-atom doping
ZHANG Jin, XU Jingcheng    
School of Materials and Chemistry, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China
Abstract: In order to accelerate the design of sensing material structures and control of gas sensing performance, high-throughput computing combined with machine learning was used to study the structure-activity relationship between transition metal doped MoS2 gas sensing materials and adsorbed gases. By constructing single atom and double atom transition metal doped MoS2 systems (TM-MoS2, TM2-MoS2, TM=V, Mn, Co, Mo, Ru), the adsorption energies of three typical indoor gas pollutants HCHO, NH3, and H2S were calculated based on first principles, and four algorithms were used to construct machine learning regression prediction models.The use of a stepwise filtering feature engineering strategy to select a reasonable set of features has improved the generalization ability of the machine learning model. The results indicate that the XGBoost algorithm is the best, with R2 values of 0.91 and 0.78 on the training and testing sets, and RMSE values of 0.15 and 0.34 eV, respectively. Use SHAP to analyze the contribution of each feature to the regression model, where Ng and $ \varepsilon $d have the highest contribution values, and feature Dg has the smallest contribution.
Key words: machine learning    metal doping    gas adsorption    MoS2    

随着社会的发展和污染的加剧,全球对工业废气和车辆排放尾气等有害气体高效、准确检测的需求也日益增加[1]。各种气体传感器得到了广泛和深入的发展,并在控制有害和爆炸性气体、实时检测有毒气体、环境监测和安全控制、医疗诊断以及疾病预防等领域获得了良好的应用。例如,常见的电化学传感器、超导型传感器和光学传感器[2-3]等可以有效检测NO2、CO、NH3及挥发性有机化合物等有害气体。

金属氧化物基化学电阻气体传感器因其高气体响应率、低成本、操作简单和小型化等优点引起了人们极大的研究兴趣[4-5]。然而,传统的金属氧化物半导体气体传感器依赖于高温以加速表面氧化还原反应,通过提高金属氧化物薄膜的导电性以获得高传感性能,其工作温度高达150~500 ℃[6]。随着使用时间的延长,这种传感器的稳定性和寿命加速衰减。另外,制造复杂性增加,功耗增加,检测易燃易爆气体的风险增加等因素也限制了其应用潜力。因此,如何降低气体传感器的工作温度和改进传感材料一直是该领域的研究热点[7-11]。气敏(传感)材料作为气体传感器的核心部件,其材料设计和性能提高是实现气体传感器性能提升的关键。

二维层状纳米材料由于其优异的载流子迁移率、良好的热传导性、稳定的物理和化学性质等优点,在气体传感领域具有良好的应用潜力。石墨烯、过渡金属二硫化物、黑磷和MXenes[12-13]等二维层状纳米材料已被广泛用于检测各种类型的气体,并表现出优异的传感性能。依赖传统的试验方法对新型材料进行结构设计探索,往往流程繁琐、周期漫长。为了加速材料的研发效率,高通量计算逐渐成为材料结构设计和性质筛选的主流方法。然而,随着材料体系复杂程度的增加,第一性原理计算的效率将会面临巨大的挑战[14]。基于机器学习方法,建立材料结构与性能之间的关系模型,可解决第一性原理计算量大的问题,并加速材料结构设计和性能预测。

本文结合第一性原理计算和机器学习方法,计算评估过渡金属单原子、双原子掺杂MoS2材料(TM-MoS2、TM2-MoS2,TM=V、Mn、Co、Mo、Ru)对典型室内空气污染物HCHO、NH3和H2S的吸附性能,进一步以气体吸附能为预测目标,以经特征工程筛选后的掺杂金属原子和气体分子的物理化学性质作为特征描述符,分别采用4种算法极限梯度提升(extreme gradient boosting, XGBoost)、梯度提升决策树(gradient boosting decision tree, GBDT)、支持向量机(support vector machine, SVM)和最小绝对收缩和选择算子(shapley additive explanations, LASSO)构建机器学习回归预测模型,并通过SHAP分析各个特征的贡献。

1 计算方法 1.1 结构模型

本文构建过渡金属单原子、双原子掺杂1T-MoS2二维材料体系(TM-MoS2、TM2-MoS2,TM = V、Mn、Co、Mo、Ru)。其中,过渡金属单原子掺杂时得到5种结构;过渡金属双原子掺杂时,掺杂的2个金属原子可为同种元素,也可为异种元素,共得到25种过渡金属双原子掺杂结构。分别构建过渡金属掺杂MoS2体系吸附3种典型的室内气体污染物(HCHO、NH3、H2S)的初始结构,其中,双金属原子掺杂结构需考虑在不同位点上吸附的情况,共计构建90个气体吸附结构。以吸附NH3分子为例说明吸附位点,如图1所示。

图 1 NH3在TM-MoS2(上)和TM2-MoS2(中、下)的吸附结构示意图 Fig. 1 Schematic diagram of NH3 adsorption structure on TM-MoS2 (top) and TM2-MoS2 (middle and bottom)
1.2 DFT计算

本文所有DFT计算均采用VASP软件包[15],其中电子和离子之间的相互作用采用缀加平面波基组[16]描述,采用基于广义梯度近似GGA的PBE泛函[17-18]描述交换关联作用,采用TS色散方法[19]校正范德华相互作用,所有计算均采用Gamma点中心的1×1×1 K点网格,能量和力的收敛标准分别为1.0×10−5 eV和0.01 eV/Å(1 Å = 0.1 nm)。为忽略镜像结构之间的相互作用,MoS2的结构采用4×4×1超胞结构,并设置大小为20 Å的真空层,气体吸附能($ {E}_{\mathrm{a}\mathrm{d}\mathrm{s}} $)根据下式计算:

$ \qquad {E}_{\mathrm{a}\mathrm{d}\mathrm{s}}={E}_{\mathrm{T}\mathrm{M}-{\mathrm{M}\mathrm{o}\mathrm{S}}_{2}}+{E}_{\mathrm{g}\mathrm{a}\mathrm{s}}-{E}_{\mathrm{g}\mathrm{a}\mathrm{s}@{\mathrm{T}\mathrm{M}-\mathrm{M}\mathrm{o}\mathrm{S}}_{2}} $ (1)

式中:$ {E}_{\mathrm{g}\mathrm{a}\mathrm{s}@{\mathrm{T}\mathrm{M}-\mathrm{M}\mathrm{o}\mathrm{S}}_{2}} $$ {E}_{\mathrm{g}\mathrm{a}\mathrm{s}} $$ {E}_{{\mathrm{T}\mathrm{M}-\mathrm{M}\mathrm{o}\mathrm{S}}_{2}} $分别为吸附结构、气体分子、TM-MoS2的吸附能。

根据计算公式定义,气体吸附能为正值,表示吸附是放热过程,吸附能越大,则放热越多,热力学稳定性越好。

2 结果与讨论 2.1 吸附能数据分析

统计计算得到气体吸附能分布,如图2图3所示。HCHO吸附能的分布最为松散,H2S吸附能的分布最为紧凑。HCHO、NH3和H2S吸附能的最大值分别为HCHO@VV-MoS2(2.98 eV)、NH3@VMn-MoS2(1.69 eV)和H2S@VMn-MoS2(1.21 eV),说明V和Mn掺杂有利于3种气体的吸附;吸附能的最小值分别为HCHO@MnRu-MoS2(0.44 eV)、NH3@MnRu-MoS2(0.78 eV)和H2S@MnRu-MoS2(0.29 eV),说明Mn和Ru共掺杂不利于3种气体的吸附。

图 2 3种气体的吸附能分布 Fig. 2 Adsorption energy distribution of three gases

图 3 3种气体的吸附能 Fig. 3 Adsorption energies of three gases
2.2 特征工程

本文以计算得到的气体吸附能为预测目标,以经特征工程筛选后的掺杂金属原子和气体分子的物理化学性质作为特征描述符,构建供机器学习模型训练的数据集。

其中,针对掺杂的过渡金属原子,选择7种物理化学性质作为特征描述符,包括原子半径(rM/pm)、相对质量(M)、原子序数(N)、最外层d轨道的电子数(ed)、泡利电负性(Nm)、第一电离能(Im/eV)和相应纯金属表面的d带中心(εd/eV)。

针对吸附的3种气体分子,选择7种物理和化学参数作为特征描述符,包括重原子个数(Hg)、相对质量(MNg)、平均电负性(Ng)、脂水分配系数(logP)、氢键受体数(HBa)、相对气体密度(Dg)和拓扑极性表面积(SA),如表1所示。由表1可知,个别气体分子的特征描述符并无区别。

表 1 3种气体分子的特征描述符 Tab. 1 Characteristic descriptors of three gas molecules

利用上述14种特征描述符构建数据集时,如果特征空间较大,容易导致维数灾难,不利于机器学习模型的训练。因此,需从原始特征描述符中去除冗余或强相关的重复特征,从而减少噪声对模型泛化能力的影响。

本文采用逐步滤波法来筛选特征描述符。首先,基于皮尔逊相关系数矩阵(Pearson)确定14个初始特征之间的线性相关性,如图4(a)所示。由图4(a)可知,存在4组强相关(相关系数大于0.9)的特征描述符,分别为(1)rMNmIm;(2)MNum;(3)HgNg、logPSA;(4)MNgDg。然后,计算这4组强相关特征描述符与预测目标(Eads)之间的斯皮尔曼相关系数(Spearman),如图4(b)所示。保留每组中与预测目标相关性最强的特征,分别为ImNumNgDg

图 4 14个初始特征描述符的Pearson相关系数热图和4组强相关特征描述符的Spearman相关系数 Fig. 4 Pearson correlation coefficient heatmap of 14 initial feature descriptors and Spearman correlation coefficients of four sets of strongly correlated feature descriptors

最终选取7种理化性质(NumedNmIm$ \varepsilon $dNgDg)作为数据集的特征描述符,结合各过渡金属掺杂体系的气体吸附能数据构建机器学习数据集,并按80%∶20%的比例随机划分为训练集和测试集。

2.3 机器学习模型训练与评估

本文选择XGBoost、GBDT、SVM和LASSO四种算法构建气体吸附能的机器学习回归预测模型,其具体参数见表2。以决定系数(R2)和均方根误差(root mean square error, RMSE)评价模型,结果如图5所示。由图5可知,经特征工程后,同一模型对气体吸附能的预测性能均有所提高,验证了特征工程的必要性。其中,XGBoost算法在训练集和测试集上均表现出最优的预测精度,R2分别为0.91,0.78;RMSE值分别为0.15、0.34 eV。GBDT算法也取得了较好的预测性能。因此,XGBoost算法为预测气体在过渡金属掺杂MoS2上气体吸附能的最佳模型。

表 2 4种机器学习模型的具体参数 Tab. 2 Detail parameters of four machine learning models

图 5 特征工程前后4种机器学习模型的回归结果对比 Fig. 5 Comparison of regression results of four machine learning models before and after feature engineering

为进一步探索机器学习模型的可解释性,本文还采用SHAP分析了各特征描述符对模型的贡献,如图6所示。特征描述符Ng$ \varepsilon $d的贡献最大,说明气体分子的平均电负性和过渡金属的d带中心会显著影响气体的吸附能,且呈正相关;特征描述符Dg的SHAP值几乎为0,说明气体密度对吸附能几乎没有影响;过渡金属原子最外层d轨道电子数与吸附能呈反相关。

图 6 各特征描述符的SHAP摘要图 Fig. 6 SHAP summary graph of each feature descriptor
3 结 论

本文采用DFT方法计算了过渡金属单原子、双原子掺杂MoS2材料对三种常见室内气体污染物HCHO、NH3和H2S的吸附能,并以此作为数据集,训练得到了机器学习回归预测模型。结果表明,XGBoost模型预测气体吸附能具有最佳的准确性和泛化能力,其在测试集和训练集上的R2分别为0.91,0.78;RMSE分别为0.15、0.34 eV。SHAP分析表明气体分子的平均电负性Ng和过渡金属原子的d带中心$ \varepsilon $d对吸附能的影响最大,且呈正相关。本文工作为加速设计性能优异的MoS2基气敏传感器提供了理论指导和帮助。

参考文献
[1]
NAZEMI H, JOSEPH A, PARK J, et al. Advanced micro and nano-gas sensor technology: a review[J]. Sensors, 2019, 19(6): 1285. DOI:10.3390/s19061285
[2]
PARK C O, FERGUS J W, MIURA N, et al. Solid-state electrochemical gas sensors[J]. Ionics, 2009, 15(3): 261-284. DOI:10.1007/s11581-008-0300-6
[3]
魏振伟, 毛烁源, 汪宇, 等. 基于应力信号的多类型电池析锂检测研究[J]. 上海理工大学学报, 2024, 46(1): 1-9. DOI:10.1021/ac0202278
[4]
TANG Y T, ZHAO Y N, LIU H. Room-temperature semiconductor gas sensors: challenges and opportunities[J]. ACS Sensors, 2022, 7(12): 3582-3597. DOI:10.1021/acssensors.2c01142
[5]
DEY A. Semiconductor metal oxide gas sensors: a review[J]. Materials Science and Engineering: B, 2018, 229: 206-217. DOI:10.1016/j.mseb.2017.12.036
[6]
KIM H J, LEE J H. Highly sensitive and selective gas sensors using p-type oxide semiconductors: Overview[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2014, 192: 607-627. DOI:10.1016/j.snb.2013.11.005
[7]
WANG Z Y, BU M M, HU N, et al. An overview on room-temperature chemiresistor gas sensors based on 2D materials: research status and challenge[J]. Composites Part B: Engineering, 2023, 248: 110378. DOI:10.1016/j.compositesb.2022.110378
[8]
OU L X, LIU M Y, ZHU L Y, et al. Recent progress on flexible room-temperature gas sensors based on metal oxide semiconductor[J]. Nano-Micro Letters, 2022, 14(1): 206. DOI:10.1007/s40820-022-00956-9
[9]
WANG J, SHEN H C, XIA Y, et al. Light-activated room-temperature gas sensors based on metal oxide nanostructures: a review on recent advances[J]. Ceramics International, 2021, 47(6): 7353-7368. DOI:10.1016/j.ceramint.2020.11.187
[10]
KUMAR R, LIU X H, ZHANG J, et al. Room-temperature gas sensors under photoactivation: from metal oxides to 2D materials[J]. Nano-Micro Letters, 2020, 12(1): 164. DOI:10.1007/s40820-020-00503-4
[11]
CHENG Y F, REN B Y, XU K, et al. Recent progress in intrinsic and stimulated room-temperature gas sensors enabled by low-dimensional materials[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2021, 9(9): 3026-3051. DOI:10.1039/D0TC04196C
[12]
CHEN N, LI X G, WANG X Y, et al. Enhanced room temperature sensing of Co3O4-intercalated reduced graphene oxide based gas sensors[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2013, 188: 902-908. DOI:10.1016/j.snb.2013.08.004
[13]
SUN D J, LUO Y F, DEBLIQUY M, et al. Graphene-enhanced metal oxide gas sensors at room temperature: a review[J]. Beilstein Journal of Nanotechnology, 2018, 9: 2832-2844. DOI:10.3762/bjnano.9.264
[14]
LI W L, ZHANG Y, LONG X, et al. Gas sensors based on mechanically exfoliated MoS2 nanosheets for room-temperature NO2 detection[J]. Sensors, 2019, 19(9): 2123. DOI:10.3390/s19092123
[15]
KRESSE G, FURTHMÜLLER J. Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set[J]. Physical Review B, 1996, 54(16): 11169-11186. DOI:10.1103/PhysRevB.54.11169
[16]
KRESSE G, JOUBERT D. From ultrasoft pseudopotentials to the projector augmented-wave method[J]. Physical Review B, 1999, 59(3): 1758-1775. DOI:10.1103/PhysRevB.59.1758
[17]
PERDEW J P, BURKE K, ERNZERHOF M. Generalized gradient approximation made simple[J]. Physical Review Letters, 1996, 77(18): 3865-3868. DOI:10.1103/PhysRevLett.77.3865
[18]
BLÖCHL P E. Projector augmented-wave method[J]. Physical Review B, 1994, 50(24): 17953-17979. DOI:10.1103/PhysRevB.50.17953
[19]
TKATCHENKO A, SCHEFFLER M. Accurate molecular van der Waals interactions from ground-state electron density and free-atom reference data[J]. Physical Review Letters, 2009, 102(7): 073005. DOI:10.1103/PhysRevLett.102.073005