有色金属材料与工程  2024, Vol. 45 Issue (1): 16-25    DOI: 10.13258/j.cnki.nmme.20240106002   PDF    
Bi掺杂O3型NaNi0.5Mn0.5O2钠离子电池层状正极材料的制备与储钠性能
仇健, 盛子墨, 马乾乾, 袁涛    
上海理工大学 材料与化学学院, 上海 200093
摘要:O3型NaNi0.5Mn0.5O2拥有高理论比容量且易于制备,是商业钠离子(Na+)电池的首选正极材料之一,但其循环稳定性仍面临挑战。利用Bi对NaNi0.5Mn0.5O2进行改性。研究发现,Bi的引入可以在晶粒生长过程中通过调节表面能实现晶粒细化,并且Bi的掺杂增加了层状正极材料的晶胞参数,为Na+提供了宽的扩散通道,提高了Na+的扩散能力,优化了Na+在脱嵌过程中的可逆性。改性后的NaNi0.495Mn0.5Bi0.005O2实现了在2.0~4.0 V的电势区间内0.2 C倍率下的可逆容量为138.1 mAh/g,在5 C倍率下循环100圈后容量保持率可以达到97%。
关键词钠离子电池    层状氧化物正极    O3-NaNi0.5Mn0.5O2    Bi掺杂    
Preparation and performance of Bi doped O3 type NaNi0.5Mn0.5O2 layered cathode materials for sodium ion batteries
QIU Jian, SHENG Zimo, MA Qianqian, YUAN Tao    
School of Materials and Chemistry, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China
Abstract: O3-type NaNi0.5Mn0.5O2 is a preferred cathode materials for commercial sodium-ion(Na+) batteries due to its high theoretical specific capacity and ease of fabrication. However, its cycling stability still faces challenges. In this study, bismuth metal (Bi) is used to modify the NaNi0.5Mn0.5O2. It is found that the introduction of Bi allows for grain refinement by regulating surface energy during the grain growth process. Additionally, Bi doping increases the cell parameters of the layered cathode material, providing wider diffusion channels for Na+, enhancing Na+ diffusion ability, and optimizing the reversibility of Na+ in the insertion/extraction process. The modified NaNi0.495Mn0.5Bi0.005O2 sample achieves a reversible capacity of 138.1 mAh/g at the rate of 0.2 C within the potential range of 2.0-4.0 V. Furthermore, it demonstrates a capacity retention of 97% after 100 cycles at the rate of 5 C. The modified NaNi0.495Mn0.5Bi0.005O2 can also be used as a high-current anode material.
Key words: sodium-ion battery    layered oxide cathode    O3-NaNi0.5Mn0.5O2    Bi doping    

锂离子电池(lithium ion batteries, LIBs)的应用在便携式电子设备、电动汽车、新能源发电等领域取得了巨大的成功[1-4]。然而,由于资源和成本的限制,LIBs很难满足日益增长的大规模储能需求。钠离子(Na)电池(sodium ion batteries, SIBs)因其丰富的钠资源和与LIBs具有相似的工作机制被认为是最有潜力的新一代储能器件之一[5-8]

正极材料在SIBs中起着至关重要的作用,它可以提供自由移动的Na+并决定电池的电势。在已报道的候选正极材料中,层状过渡金属氧化物因其制备工艺简单、理论容量大等优点被认为是最实用的SIBs正极材料之一[9-11]。目前,研究最广泛的层状氧化物正极材料主要为P2型和O3型[12-14]。相较于Na+不足的P2型氧化物,O3型氧化物拥有完整的Na+晶体结构,因此其在全电池中的应用表现更好。此外,O3型NaNi0.5Mn0.5O2由于其稳定的Mn4+―O结构和Ni2+↔Ni4+两电子转移反应带来的高理论比容量成为最有前途的候选者之一[15-17]。然而,由于O3型NaNi0.5Mn0.5O2在充放电过程中伴有严重的相变(O3hex.-O3’mon.-P3hex.-P’3mon.-P3’hex.-O3’hex.)使该正极材料在Na+的脱嵌过程中出现严重的结构畸变,导致晶格开裂、电势滞后和容量衰减等问题[18-21]

因此,探索如何抑制O3-NaNi0.5Mn0.5O2正极的多次相变和表面副反应,对促进这类材料的实际应用具有重要意义。目前,各种电化学活性元素(如Co[22]、Ti[23-24]、Fe[25]等)和非电化学活性元素(如Mg[26]、Zn[27]、Al[28]、Sn[29]、Sb[30]、Nb[31]等)已被证实有利于改善O3-NaNi0.5Mn0.5O2循环过程中的结构稳定性。然而,Bi掺杂对O3型Ni/Mn基二元氧化物正极的影响尚不清楚。

本工作通过高能球磨辅助固相反应法制备了Bi掺杂的O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2。系统地研究Bi的引入对材料晶体结构、形貌和电化学性能的影响。

1 实验部分 1.1 材料制备

采用高能球磨辅助固相烧结的方法合成了O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2,Bi的掺杂量x分别为0.003、0.005、0.010、0.030(原子分数/%),分别记为NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1、NaNMB-3。以0.05 mol目标产物的制备为例,按照化学计量比将原料NiO(上海麦克林生化试剂有限公司,98%)、MnO2(上海麦克林生化试剂有限公司,质量分数为98%)、Bi2O3(上海麦克林生化试剂有限公司,质量分数为99.6%)和质量分数为3%的过量的Na2CO3·H2O(上海阿拉丁生化科技股份有限公司,质量分数≥99.5%。用于补偿高温烧结过程中的钠损失)放入100 mL氧化锆球磨罐中,再加入50颗直径为5 mm的氧化锆球和70 mL的无水乙醇。球磨罐在行星球磨机(QM-3SP04,驰顺科技有限公司)中以500 r/min的转速球磨10 h。球磨完成后将混合前驱体在80 ℃下干燥5 h,然后在900 ℃下空气中煅烧10 h,升温速率为5 ℃/min。最终获得不同Bi掺杂量的材料。

1.2 材料表征

使用电感耦合等离子体光谱仪(inductively coupled plasma optical emission spectrometry,ICP-OES)测定O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2样品中各元素的含量;采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察材料的微观形貌和颗粒尺寸;利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)表征样品的结构,扫描角度为10°~80°,扫描速率为5(°)/min,并用通用结构分析系统(general structure analysis system,GSAS)对XRD进行Rietveld精修,获得详细的晶体结构信息;使用X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对材料内部过渡金属离子价态进行表征。

1.3 电化学测试

按质量比80:10:10将上述制备的正极材料与导电炭黑和PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮(N-methyl pyrrolidone, NMP)中磁力搅拌0.5 h后形成均匀的浆料,将所获得的浆料均匀涂在铝箔上制成厚度约为100 μm的电极片,并冲成10 mm的圆片,随后放入80 ℃真空干燥烘箱中干燥12 h。用所制备的圆片作为正极,钠片作为对电极,玻璃纤维膜(glass fiber, GF/D)作为隔膜,将浓度1 mol/L的NaClO4溶于1:1体积比的碳酸乙烯酯(ethylene carbonate, EC)和二甲基碳酸酯(dimethyl carbonate, DMC)+1%体积比的氟代碳酸乙烯酯(fluoroethylene carbonate, FEC)的混合溶剂,作为电解液,在氩气手套箱中组成CR2032扣式电池。使用LAND电池测试系统在2.0~4.0 V进行不同倍率的恒流充放电测试,使用间歇恒流滴定技术(galvanostatic intermittent titration technique,GITT,5 mA/g的电流密度,充放电30 min,弛豫2 h)测试Na+的扩散系数,使用电化学工作站测试电化学阻抗谱(electrochemical imp eda nce spectroscopy, EIS),采集频率为0.1 Hz~100 kHz。

2 结果与讨论 2.1 物理特征

采用高能球磨辅助固相烧结法合成了NaNM和改性的NaNMB样品。通过ICP-OES测试分析所制备的样品的原子组成,结果如表1所示。通过ICP-OES的测试结果可以得到所有样品的元素化学计量比。

表 1 NaNi0.5Mn0.5O2和NaNi0.5-xMn0.5BixO2的ICP-OES结果 Tab. 1 ICP-OES results of NaNi0.5Mn0.5O2 and NaNi0.5-xMn0.5BixO2

为了研究Bi取代对材料结构的影响,对材料进行XRD测试,结果如图1所示。从图1(a)中可以看出,NaNM和4个NaNMB样品的衍射峰位置与标准卡片(JCPDS No.54~0887)的衍射峰位置基本一致,表明所制备的样品可以很好地归类为具有R3̅m空间群的六角O3型ɑ-NaFeO2结构[32-33],此外,通过衍射峰的尖锐程度可以判断出材料具有较好的结晶性。从图1(a)所示的16°~17°衍射谱图放大图中可以发现,代表材料c轴的(003)峰向低角度方向偏移[34-36],意味着c轴间距的增加;除了(003)峰外,代表过渡金属(TM)层的(104)峰的位置也在一定程度上向低角方向度偏移,表示TM层的层间距扩大,这可能是因为Bi3+的离子半径比Ni2+和Mn4+的大,导致了TM层间距和c轴间距增大。

图 1 样品的XRD谱图及Rietveld精修图 Fig. 1 XRD patterns and Rietveld refinement patterns of the samples

为了更好地研究Bi掺杂对NaNM晶体结构的影响,对样品的XRD测试结果进行了Rietveld精修,结果如图1(b)图1(f)和表2所示。从表2中可以看出,与NaNM(a=b=0.296 228 nm、c=1.601 390 nm)相比,NaNMB-0.5(a=b=0.296 830 nm,c=1.606 480 nm)的晶胞参数略有增大。并且Bi取代的原子分数为0.5%时,Na层层间距从0.324 292 nm增加到0.326 746 nm,较大的Na层层间距可以提供更大的Na+扩散通道,有望改善Na+扩散速率和动力学传输过程[14]。当Bi掺杂的原子分数大于0.5%时,晶胞参数变化更大,且衍射峰变宽,说明过量的Bi掺杂可能会导致材料结构变化较大,不利于材料的结构稳定性。

表 2 Rietveld精修得到的样品晶胞参数 Tab. 2 Crystallographic parameters of the samples refined by Rietveld method

利用SEM对NaNM和NaNMB-0.5样品进行进一步表征。如图2(a)和图2(b)所示,NaNM具有较大的片状形貌,宽度为4~5 μm,与文献[31]报道的值相似。有趣的是,当在结构中引入Bi后,即使两个样品所使用的合成工艺条件 (煅烧温度和保温时间)完全相同,NaNMB-0.5的粒径(宽度为2~3 μm)却显著减小,这可能是因为在合成过程中,掺杂的Bi可以影响层状氧化物的表面能,进而调节晶粒的生长取向[37]。更小的晶粒尺寸意味着Na+在NaNMB中传输路径更短,这有望提高NaNMB正极的大倍率容量。图2(c)中的EDS分析结果也表明,Na、Ni、Mn、Bi、O在NaNMB-0.5样品中均匀分布[38]

图 2 样品的SEM图和EDS分析结果 Fig. 2 SEM images and EDS analysis results of the samples

XRD的精修分析证实了Bi掺杂可以对NaNMB的晶胞参数产生影响,为了进一步了解Bi取代对于TMs(Ni/Mn)的价态和电子结构的影响,实验对NaNM和4个改性的NaNMB样品进行了XPS测试。首先,利用XPS测定样品表面Ni、Mn、Bi离子的氧化态,如图3所示。原始NaNM中的Ni和Mn主要是+2价和+4价,在图3(a)中可以观察到Mn 2p有2个主峰,分别是位于结合能642.4 eV处的Mn 2p3/2和654.0 eV处的Mn 2p1/2。在图3(b)中可以观察到Ni存在4个主峰,分别是位于结合能872.8 eV处的Ni 2p3/2和860.7 eV处的Ni 2p1/2,以及2个卫星峰。在图3(c)中可以观察到Bi也有2个主峰,分别是位于结合能157.6 eV处的Bi 4f7/2和163 eV处的Bi 4f5/2,说明Bi以+3价的形式存在于材料中。此外,通过对Ni和Mn的XPS峰进行拟合发现(如表3所示),Bi掺杂后Ni3+和Mn3+的含量略有增加,这是因为Mn4+和Ni2+之间发生了电子交换,并且Ni3+有利于Na+的均匀分布,从而可以加快Na+的脱嵌[21],而Mn3+相较于Mn4+可以提供更多的比容量,有望在保证材料循环性能的同时提高比容量。

图 3 原始NaNM和Bi掺杂的NaNMB样品的XPS谱图 Fig. 3 XPS spectra of pristine NaNM and Bi doped NaNMB samples

表 3 NaNM和NaNMB样品的Ni 2p和Mn 2p的XPS拟合结果 Tab. 3 XPS fitting results for Ni 2p and Mn 2p of NaNM and NaNMB samples
2.2 电化学分析

为了探究Bi对NaNM电化学性能的影响,将上述5种不同Bi掺杂量的样品在0.2 C(1 C=100 mAh/g)的倍率下在2.0~4.0 V的电势区间内进行首3圈恒流充放电测试。从图4中的充放电曲线中可以得知,NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1和NaNMB-3的放电比容量依次为128.1、124.5、138.1、131.5、130.7 mAh/g。相较于未掺杂Bi的NaNM材料,随着Bi含量的增加,材料的首圈放电比容量逐渐增加,但当Bi的原子分数大于0.5%的时候,材料的首圈放电比容量开始减小,根据充放电曲线来看,Bi的引入会导致在2.5 V处额外出现一个平台,这可能是因为Mn3+/Mn4+的转变,Mn3+含量的增多导致了此平台的出现,并且发现在3.0 V以上的电势区间内,NaNMB的充放电曲线相较于NaNM的变得光滑,这表明在TM中引入Bi3+可以有效地抑制相变。此外,通过观察NaNM的充放电曲线发现,未掺杂Bi的NaNM的初始极化较大,经过3圈充放电后比容量衰减较快,这是因为材料经历了TM层间滑移导致的O3-P3不可逆相变。从NaNMB-0.5前3圈充放电曲线中可以看出,所有曲线几乎完全重合(图4c),说明Bi掺杂后提升了材料的结构稳定性和循环稳定性,放电比容量衰减得到抑制,说明Bi掺杂可以有效地抑制Na+脱嵌过程中Na+/空位的有序排列,提高了材料的结构稳定性。

图 4 样品前3圈的充放电曲线 Fig. 4 Initial three charge/discharge curves of the samples

图5为5种不同Bi掺杂量的样品在不同倍率下的长循环性能和倍率性能。由图5(a)所示,样品在2.0~4.0 V的电势区间进行倍率为1 C的长循环测试,经过100圈循环后NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1和NaNMB-3的循环保持率分别为63%、85%、91%、87%和82%。Bi的引入可以明显地改善NaNMB的循环保持率,并且随着Bi掺杂量的增加,样品的循环保持率呈现出先升高后下降的趋势。当Bi掺杂的原子分数为0.5%时,经过100圈循环后,放电比容量为119 mAh/g,循环保持率为91%,说明其循环稳定性最好,这是因为Bi3+可以减弱Na+在脱嵌过程中经历的相变,从而达到稳定结构的作用。此外,Bi3+的引入可以增加Ni3+的含量,从而减少Ni2+与Ni3+之间的转变,有利于提升材料的循环稳定性。另外,由于Bi3+(0.103 nm)较大的离子半径导致c轴的层间距增大,为Na+提供了更宽的扩散通道,进而提高了Na+的扩散速率,保证了循环性能。然而,当Bi的掺杂量过高时(x=0.01、0.03),材料的放电比容量开始降低,这可能是因为过多的Ni2+转变为了Ni3+,不利于Ni2+/Ni3+氧化反应。此外,当Bi含量过高时,Mn3+含量增加,从而导致Jahn–Teller效应的发生,不利于材料的结构稳定。

图 5 样品在不同倍率下的长循环性能和倍率性能 Fig. 5 Long cycle performance and rate-cycle of samples at different rate

图5(b)为样品在0.2、0.5、1、2、5、10 C不同倍率下的倍率性能,通过比较发现在低倍率条件下(0.2~1.0 C),样品的放电比容量随着倍率的增大缓慢下降;随着倍率的增大,放电比容量的变化幅度出现明显的差异。当Bi掺杂的原子分数为0.5%时,倍率性能最好,在0.2 C倍率下的初始放电比容量为138.1 mAh/g,并且在10 C倍率条件下可以保持在87.8 mAh/g,说明Bi的引入提高了材料的离子电导率,加快Na+的脱嵌速率。图5(c)为NaNM和NaNMB-0.5在5 C倍率下的循环性能,其中NaNMB-0.5的循环性能尤为突出,在经历了100圈循环后容量保持率依旧可以保持在97%,说明Bi3+的引入可以抑制相变,防止结构在循环过程中发生坍塌,提高了材料的循环稳定性和倍率性能。

此外,为了深入研究Bi掺杂对材料电化学行为的影响,对经历过3个循环后的5种样品进行EIS和间歇恒流滴定测试,如图6所示。从图5(a)中可以看,NaNMB-0.5电极的EIS值更小,这证实了适量的Bi掺杂可以降低电阻,有效地提高电子和离子电导率,这也解释了材料具有优异的导电性和循环可逆性的原因。为了验证这一结果,采用恒电流间歇滴定(galvanostatic intermittent titration technique,GITT)技术来计算NaNM和NaNMB-0.5样品的Na+扩散系数,如图6(b)所示,相较于原始NaNM,Bi掺杂的NaNMB-0.5具有更高的Na+扩散系数,证明Bi掺杂可以提高Na+的扩散速率。

图 6 3圈循环后的样品的EIS图和GITT计算得到的Na+的扩散系数 Fig. 6 EIS plots of samples after 3 cycles and diffusion coefficients of Na+ calculated by GITT
3 结 论

通过高能球磨辅助固相反应法合成了Bi掺杂的O3-NaNMB材料。研究表明,适量的Bi掺杂可以改善O3层状正极的电化学性能。Bi的取代可以通过改变NaNMB的表面能来调控其晶粒的生长取向,从而细化材料粒径,有利于Na+的快速迁移;Bi的引入可以拓宽Na层间距,并通过在充放电过程中抑制相变来达到保护结构的效果,在利于Na+快速脱嵌的同时增强循环稳定性。研究表明,当Bi掺杂量为0.5%时材料的电化学性能最佳,在2.0~4.0 V的电压区间和0.2 C倍率下,初始放电比容量为138.1 mAh/g,在1 C倍率下循环100圈后的容量保持率为91%,在5 C倍率下循环100圈的容量保持率达到97%。Bi掺杂提高了材料的循环稳定性和倍率性能,这将有益于推动O3层状Ni/Mn基正极材料的实际应用。

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