锂离子电池(lithium ion batteries, LIBs)的应用在便携式电子设备、电动汽车、新能源发电等领域取得了巨大的成功[1-4]。然而,由于资源和成本的限制,LIBs很难满足日益增长的大规模储能需求。钠离子(Na+)电池(sodium ion batteries, SIBs)因其丰富的钠资源和与LIBs具有相似的工作机制被认为是最有潜力的新一代储能器件之一[5-8]。
正极材料在SIBs中起着至关重要的作用,它可以提供自由移动的Na+并决定电池的电势。在已报道的候选正极材料中,层状过渡金属氧化物因其制备工艺简单、理论容量大等优点被认为是最实用的SIBs正极材料之一[9-11]。目前,研究最广泛的层状氧化物正极材料主要为P2型和O3型[12-14]。相较于Na+不足的P2型氧化物,O3型氧化物拥有完整的Na+晶体结构,因此其在全电池中的应用表现更好。此外,O3型NaNi0.5Mn0.5O2由于其稳定的Mn4+―O结构和Ni2+↔Ni4+两电子转移反应带来的高理论比容量成为最有前途的候选者之一[15-17]。然而,由于O3型NaNi0.5Mn0.5O2在充放电过程中伴有严重的相变(O3hex.-O3’mon.-P3hex.-P’3mon.-P3’hex.-O3’hex.)使该正极材料在Na+的脱嵌过程中出现严重的结构畸变,导致晶格开裂、电势滞后和容量衰减等问题[18-21]。
因此,探索如何抑制O3-NaNi0.5Mn0.5O2正极的多次相变和表面副反应,对促进这类材料的实际应用具有重要意义。目前,各种电化学活性元素(如Co[22]、Ti[23-24]、Fe[25]等)和非电化学活性元素(如Mg[26]、Zn[27]、Al[28]、Sn[29]、Sb[30]、Nb[31]等)已被证实有利于改善O3-NaNi0.5Mn0.5O2循环过程中的结构稳定性。然而,Bi掺杂对O3型Ni/Mn基二元氧化物正极的影响尚不清楚。
本工作通过高能球磨辅助固相反应法制备了Bi掺杂的O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2。系统地研究Bi的引入对材料晶体结构、形貌和电化学性能的影响。
1 实验部分 1.1 材料制备采用高能球磨辅助固相烧结的方法合成了O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2,Bi的掺杂量x分别为0.003、0.005、0.010、0.030(原子分数/%),分别记为NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1、NaNMB-3。以0.05 mol目标产物的制备为例,按照化学计量比将原料NiO(上海麦克林生化试剂有限公司,98%)、MnO2(上海麦克林生化试剂有限公司,质量分数为98%)、Bi2O3(上海麦克林生化试剂有限公司,质量分数为99.6%)和质量分数为3%的过量的Na2CO3·H2O(上海阿拉丁生化科技股份有限公司,质量分数≥99.5%。用于补偿高温烧结过程中的钠损失)放入100 mL氧化锆球磨罐中,再加入50颗直径为5 mm的氧化锆球和70 mL的无水乙醇。球磨罐在行星球磨机(QM-3SP04,驰顺科技有限公司)中以500 r/min的转速球磨10 h。球磨完成后将混合前驱体在80 ℃下干燥5 h,然后在900 ℃下空气中煅烧10 h,升温速率为5 ℃/min。最终获得不同Bi掺杂量的材料。
1.2 材料表征使用电感耦合等离子体光谱仪(inductively coupled plasma optical emission spectrometry,ICP-OES)测定O3-NaNi0.5-xMn0.5BixO2样品中各元素的含量;采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察材料的微观形貌和颗粒尺寸;利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)表征样品的结构,扫描角度为10°~80°,扫描速率为5(°)/min,并用通用结构分析系统(general structure analysis system,GSAS)对XRD进行Rietveld精修,获得详细的晶体结构信息;使用X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)对材料内部过渡金属离子价态进行表征。
1.3 电化学测试按质量比80:10:10将上述制备的正极材料与导电炭黑和PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮(N-methyl pyrrolidone, NMP)中磁力搅拌0.5 h后形成均匀的浆料,将所获得的浆料均匀涂在铝箔上制成厚度约为100 μm的电极片,并冲成10 mm的圆片,随后放入80 ℃真空干燥烘箱中干燥12 h。用所制备的圆片作为正极,钠片作为对电极,玻璃纤维膜(glass fiber, GF/D)作为隔膜,将浓度1 mol/L的NaClO4溶于1:1体积比的碳酸乙烯酯(ethylene carbonate, EC)和二甲基碳酸酯(dimethyl carbonate, DMC)+1%体积比的氟代碳酸乙烯酯(fluoroethylene carbonate, FEC)的混合溶剂,作为电解液,在氩气手套箱中组成CR2032扣式电池。使用LAND电池测试系统在2.0~4.0 V进行不同倍率的恒流充放电测试,使用间歇恒流滴定技术(galvanostatic intermittent titration technique,GITT,5 mA/g的电流密度,充放电30 min,弛豫2 h)测试Na+的扩散系数,使用电化学工作站测试电化学阻抗谱(electrochemical imp eda nce spectroscopy, EIS),采集频率为0.1 Hz~100 kHz。
2 结果与讨论 2.1 物理特征采用高能球磨辅助固相烧结法合成了NaNM和改性的NaNMB样品。通过ICP-OES测试分析所制备的样品的原子组成,结果如表1所示。通过ICP-OES的测试结果可以得到所有样品的元素化学计量比。
| 表 1 NaNi0.5Mn0.5O2和NaNi0.5-xMn0.5BixO2的ICP-OES结果 Tab. 1 ICP-OES results of NaNi0.5Mn0.5O2 and NaNi0.5-xMn0.5BixO2 |
为了研究Bi取代对材料结构的影响,对材料进行XRD测试,结果如图1所示。从图1(a)中可以看出,NaNM和4个NaNMB样品的衍射峰位置与标准卡片(JCPDS No.54~0887)的衍射峰位置基本一致,表明所制备的样品可以很好地归类为具有R3̅m空间群的六角O3型ɑ-NaFeO2结构[32-33],此外,通过衍射峰的尖锐程度可以判断出材料具有较好的结晶性。从图1(a)所示的16°~17°衍射谱图放大图中可以发现,代表材料c轴的(003)峰向低角度方向偏移[34-36],意味着c轴间距的增加;除了(003)峰外,代表过渡金属(TM)层的(104)峰的位置也在一定程度上向低角方向度偏移,表示TM层的层间距扩大,这可能是因为Bi3+的离子半径比Ni2+和Mn4+的大,导致了TM层间距和c轴间距增大。
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图 1 样品的XRD谱图及Rietveld精修图 Fig. 1 XRD patterns and Rietveld refinement patterns of the samples |
为了更好地研究Bi掺杂对NaNM晶体结构的影响,对样品的XRD测试结果进行了Rietveld精修,结果如图1(b)~图1(f)和表2所示。从表2中可以看出,与NaNM(a=b=0.296 228 nm、c=1.601 390 nm)相比,NaNMB-0.5(a=b=0.296 830 nm,c=1.606 480 nm)的晶胞参数略有增大。并且Bi取代的原子分数为0.5%时,Na层层间距从0.324 292 nm增加到0.326 746 nm,较大的Na层层间距可以提供更大的Na+扩散通道,有望改善Na+扩散速率和动力学传输过程[14]。当Bi掺杂的原子分数大于0.5%时,晶胞参数变化更大,且衍射峰变宽,说明过量的Bi掺杂可能会导致材料结构变化较大,不利于材料的结构稳定性。
| 表 2 Rietveld精修得到的样品晶胞参数 Tab. 2 Crystallographic parameters of the samples refined by Rietveld method |
利用SEM对NaNM和NaNMB-0.5样品进行进一步表征。如图2(a)和图2(b)所示,NaNM具有较大的片状形貌,宽度为4~5 μm,与文献[31]报道的值相似。有趣的是,当在结构中引入Bi后,即使两个样品所使用的合成工艺条件 (煅烧温度和保温时间)完全相同,NaNMB-0.5的粒径(宽度为2~3 μm)却显著减小,这可能是因为在合成过程中,掺杂的Bi可以影响层状氧化物的表面能,进而调节晶粒的生长取向[37]。更小的晶粒尺寸意味着Na+在NaNMB中传输路径更短,这有望提高NaNMB正极的大倍率容量。图2(c)中的EDS分析结果也表明,Na、Ni、Mn、Bi、O在NaNMB-0.5样品中均匀分布[38]。
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图 2 样品的SEM图和EDS分析结果 Fig. 2 SEM images and EDS analysis results of the samples |
XRD的精修分析证实了Bi掺杂可以对NaNMB的晶胞参数产生影响,为了进一步了解Bi取代对于TMs(Ni/Mn)的价态和电子结构的影响,实验对NaNM和4个改性的NaNMB样品进行了XPS测试。首先,利用XPS测定样品表面Ni、Mn、Bi离子的氧化态,如图3所示。原始NaNM中的Ni和Mn主要是+2价和+4价,在图3(a)中可以观察到Mn 2p有2个主峰,分别是位于结合能642.4 eV处的Mn 2p3/2和654.0 eV处的Mn 2p1/2。在图3(b)中可以观察到Ni存在4个主峰,分别是位于结合能872.8 eV处的Ni 2p3/2和860.7 eV处的Ni 2p1/2,以及2个卫星峰。在图3(c)中可以观察到Bi也有2个主峰,分别是位于结合能157.6 eV处的Bi 4f7/2和163 eV处的Bi 4f5/2,说明Bi以+3价的形式存在于材料中。此外,通过对Ni和Mn的XPS峰进行拟合发现(如表3所示),Bi掺杂后Ni3+和Mn3+的含量略有增加,这是因为Mn4+和Ni2+之间发生了电子交换,并且Ni3+有利于Na+的均匀分布,从而可以加快Na+的脱嵌[21],而Mn3+相较于Mn4+可以提供更多的比容量,有望在保证材料循环性能的同时提高比容量。
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图 3 原始NaNM和Bi掺杂的NaNMB样品的XPS谱图 Fig. 3 XPS spectra of pristine NaNM and Bi doped NaNMB samples |
| 表 3 NaNM和NaNMB样品的Ni 2p和Mn 2p的XPS拟合结果 Tab. 3 XPS fitting results for Ni 2p and Mn 2p of NaNM and NaNMB samples |
为了探究Bi对NaNM电化学性能的影响,将上述5种不同Bi掺杂量的样品在0.2 C(1 C=100 mAh/g)的倍率下在2.0~4.0 V的电势区间内进行首3圈恒流充放电测试。从图4中的充放电曲线中可以得知,NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1和NaNMB-3的放电比容量依次为128.1、124.5、138.1、131.5、130.7 mAh/g。相较于未掺杂Bi的NaNM材料,随着Bi含量的增加,材料的首圈放电比容量逐渐增加,但当Bi的原子分数大于0.5%的时候,材料的首圈放电比容量开始减小,根据充放电曲线来看,Bi的引入会导致在2.5 V处额外出现一个平台,这可能是因为Mn3+/Mn4+的转变,Mn3+含量的增多导致了此平台的出现,并且发现在3.0 V以上的电势区间内,NaNMB的充放电曲线相较于NaNM的变得光滑,这表明在TM中引入Bi3+可以有效地抑制相变。此外,通过观察NaNM的充放电曲线发现,未掺杂Bi的NaNM的初始极化较大,经过3圈充放电后比容量衰减较快,这是因为材料经历了TM层间滑移导致的O3-P3不可逆相变。从NaNMB-0.5前3圈充放电曲线中可以看出,所有曲线几乎完全重合(图4c),说明Bi掺杂后提升了材料的结构稳定性和循环稳定性,放电比容量衰减得到抑制,说明Bi掺杂可以有效地抑制Na+脱嵌过程中Na+/空位的有序排列,提高了材料的结构稳定性。
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图 4 样品前3圈的充放电曲线 Fig. 4 Initial three charge/discharge curves of the samples |
图5为5种不同Bi掺杂量的样品在不同倍率下的长循环性能和倍率性能。由图5(a)所示,样品在2.0~4.0 V的电势区间进行倍率为1 C的长循环测试,经过100圈循环后NaNM、NaNMB-0.3、NaNMB-0.5、NaNMB-1和NaNMB-3的循环保持率分别为63%、85%、91%、87%和82%。Bi的引入可以明显地改善NaNMB的循环保持率,并且随着Bi掺杂量的增加,样品的循环保持率呈现出先升高后下降的趋势。当Bi掺杂的原子分数为0.5%时,经过100圈循环后,放电比容量为119 mAh/g,循环保持率为91%,说明其循环稳定性最好,这是因为Bi3+可以减弱Na+在脱嵌过程中经历的相变,从而达到稳定结构的作用。此外,Bi3+的引入可以增加Ni3+的含量,从而减少Ni2+与Ni3+之间的转变,有利于提升材料的循环稳定性。另外,由于Bi3+(0.103 nm)较大的离子半径导致c轴的层间距增大,为Na+提供了更宽的扩散通道,进而提高了Na+的扩散速率,保证了循环性能。然而,当Bi的掺杂量过高时(x=0.01、0.03),材料的放电比容量开始降低,这可能是因为过多的Ni2+转变为了Ni3+,不利于Ni2+/Ni3+氧化反应。此外,当Bi含量过高时,Mn3+含量增加,从而导致Jahn–Teller效应的发生,不利于材料的结构稳定。
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图 5 样品在不同倍率下的长循环性能和倍率性能 Fig. 5 Long cycle performance and rate-cycle of samples at different rate |
图5(b)为样品在0.2、0.5、1、2、5、10 C不同倍率下的倍率性能,通过比较发现在低倍率条件下(0.2~1.0 C),样品的放电比容量随着倍率的增大缓慢下降;随着倍率的增大,放电比容量的变化幅度出现明显的差异。当Bi掺杂的原子分数为0.5%时,倍率性能最好,在0.2 C倍率下的初始放电比容量为138.1 mAh/g,并且在10 C倍率条件下可以保持在87.8 mAh/g,说明Bi的引入提高了材料的离子电导率,加快Na+的脱嵌速率。图5(c)为NaNM和NaNMB-0.5在5 C倍率下的循环性能,其中NaNMB-0.5的循环性能尤为突出,在经历了100圈循环后容量保持率依旧可以保持在97%,说明Bi3+的引入可以抑制相变,防止结构在循环过程中发生坍塌,提高了材料的循环稳定性和倍率性能。
此外,为了深入研究Bi掺杂对材料电化学行为的影响,对经历过3个循环后的5种样品进行EIS和间歇恒流滴定测试,如图6所示。从图5(a)中可以看,NaNMB-0.5电极的EIS值更小,这证实了适量的Bi掺杂可以降低电阻,有效地提高电子和离子电导率,这也解释了材料具有优异的导电性和循环可逆性的原因。为了验证这一结果,采用恒电流间歇滴定(galvanostatic intermittent titration technique,GITT)技术来计算NaNM和NaNMB-0.5样品的Na+扩散系数,如图6(b)所示,相较于原始NaNM,Bi掺杂的NaNMB-0.5具有更高的Na+扩散系数,证明Bi掺杂可以提高Na+的扩散速率。
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图 6 3圈循环后的样品的EIS图和GITT计算得到的Na+的扩散系数 Fig. 6 EIS plots of samples after 3 cycles and diffusion coefficients of Na+ calculated by GITT |
通过高能球磨辅助固相反应法合成了Bi掺杂的O3-NaNMB材料。研究表明,适量的Bi掺杂可以改善O3层状正极的电化学性能。Bi的取代可以通过改变NaNMB的表面能来调控其晶粒的生长取向,从而细化材料粒径,有利于Na+的快速迁移;Bi的引入可以拓宽Na层间距,并通过在充放电过程中抑制相变来达到保护结构的效果,在利于Na+快速脱嵌的同时增强循环稳定性。研究表明,当Bi掺杂量为0.5%时材料的电化学性能最佳,在2.0~4.0 V的电压区间和0.2 C倍率下,初始放电比容量为138.1 mAh/g,在1 C倍率下循环100圈后的容量保持率为91%,在5 C倍率下循环100圈的容量保持率达到97%。Bi掺杂提高了材料的循环稳定性和倍率性能,这将有益于推动O3层状Ni/Mn基正极材料的实际应用。
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