有色金属材料与工程  2018, Vol. 39 Issue (6): 12-15   PDF    
氮化硅光固化增材制造工艺与性能的研究
严鹏飞1,4, 严彪1,2, 王联凤1,3, 程灵钰3     
1. 同济大学 材料科学与工程学院,上海 201804;
2. 上海市金属功能材料开发应用重点实验室,上海 201804;
3. 上海航天设备制造总厂有限公司,上海 201100;
4. 上海制驰智能科技有限公司,上海 201900
摘要:通过设计浆料配方和设置打印参数,采用光固化增材制造(3D打印)的方法制备出氮化硅陶瓷样品。通过热重−差示扫描量热(TG−DSC)分析得到脱脂温度,确定了脱脂预烧结和高温陈化烧结工艺,得到了氮化硅陶瓷样品。试验结果:氮化硅陶瓷样品收缩率为水平方向65.1%,厚度方向80.0%;密度达到理论值的93.3%;抗拉强度为245.9~279.8 MPa,抗弯强度为308.5~333.2 MPa。平面方向收缩较大,可能引起了拉伸时的层状撕裂。
关键词增材制造    光固化    陶瓷浆料    3D打印    氮化硅    
Study on Stereo Lithography Additive Manufacturing Process and Properties Silicon Nitride
YAN Pengfei1,4, YAN Biao1,2, WANG Lianfeng1,3, CHENG Lingyu3     
1. School of Materials Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China;
2. Shanghai Key Laboratory for R&D and Application of Metallic Functional Materials, Shanghai 201804, China;
3. Shanghai Aerospace Equipments Manufacturer Co., Ltd., Shanghai 201100, China;
4. Shanghai Zhichi Intelligent Technology Co., Ltd., Shanghai 201900, China
Abstract: Stereo lithography additive manufacturing (3D printing) method was used to prepare silicon nitride samples by designing ingredient slurry and setting printing parameter. Degreasing temperature was obtained by thermogravimetry-differential scanning calorimetry(TG-DSC) analysis. Degreasing pre-sintering and high temperature aging sintering processes were determined based on degreasing temperature, which was obtained by TG-DSC analysis. Silicon nitride samples were prepared. The results show that the horizontal and thick shrinkage of silicon nitride samples are 65.1% and 80.0% relatively. The density reaches 93.3% of the theoretical value. Tensile strength is 245.9-279.8 MPa. Bending strength is 308.5-333.2 MPa. Larger contraction in plane direction may cause layered tearing during tension.
Key words: additive manufacturing     stereo lithography apparatus     ceramic slurry     3D printing     silicon nitride    

高性能氮化硅陶瓷具有耐高温、高强度、高绝缘、耐磨损与耐腐蚀等优良性能[1-5]。其中,β−氮化硅陶瓷理论热导率达200~320 W/(m·K);氮化硅陶瓷同时还具有高抗热震性、高抗氧化性、无毒等特点[6-8]。正是因为氮化硅陶瓷具有极好的耐酸碱腐蚀性,所以该材料被广泛地用作金属与同材质配套使用的轴承球。又因为其具有很好的绝缘性,被用作电绝缘材料的绝缘环。除在高速电路和大功率器件散热和封装材料中具有应用潜力外,在新型金属加工刀具、金属复合涂层、与金属加热体复合制成加热体上都有成熟的应用[9-14],已成为传统工业改造、新兴产业和高新技术中必不可少的重要材料[15]

氮化硅陶瓷的生产工艺主要有热压烧结、常压烧结、重烧结、气烧结以及热等静压烧结等。以上生产工艺以热压烧结应用最为广泛,技术最为成熟。但是,热压烧结生产工艺所用生产原材料价格高昂,存在使用过程中容易断裂的问题。为了弥补这一缺陷,试验选择光固化增材生产氮化硅工艺,对其进行深入的研究。因为氮化物陶瓷的光固化增材制造一直被认为是行业难题[16],因此对该方法的研究甚少。本文通过陶瓷光固化打印媒介[17],经过工艺优化调整,力图尝试制备氮化物光固化增材制造的新方法。

1 试验材料与方法 1.1 打印浆料的制备

首先调配预混液。其中,丙烯酰胺亚甲基双丙烯酰胺混合液77 g(丙烯酰胺∶亚甲基双丙烯酰胺=29∶1,质量分数),光引发剂(2−羟基−甲基苯基丙烷−1−酮)5 g,分散剂2 g。预混液需搅拌15~30 min至均匀。当搅拌完成后,把载体溶液置于光固化灯下测试固化能力和固化均匀性。测试无误后,再多次逐步倒入氮化硅陶瓷粉末中。

称取100 g预制的氮化硅(氮化硅陶瓷粉通过前驱体法制备得到),分批加入预混液。首次加粉需控制在50 g以内,搅拌1 h,待搅拌均匀后,再每隔1 h加10~15 g粉末,直至粉末加完。加完后需搅拌6~10 h,直至充分搅匀无明显颗粒感,并且没有沉降。

1.2 打印过程

调试打印机器:模型导入→切片→设置打印参数。主要工作为打印调试与过程参数的设置。调试的参数有Z轴运动速度,紫外灯光的LED显示等。打印参数包括:层号、曝光时间、提拉上升速度、提拉下降速度、提拉高度、到位后曝光等待时间和层厚设置。

1.3 打印坯体的脱脂预烧、陈化烧结的试验方案

打印坯体需要通过脱脂烧结才能得到成品。为了确定合理的脱脂温度以及了解脱脂过程的热力学变化,对打印坯体进行脱脂测试,并绘制热重(TG)及差示扫描量热(DSC)曲线。TG曲线采用德国NETZSCH型热重分析仪进行测定(氮气气氛,温度区间:室温至1 000 ℃,升温速率10 ℃/min),DSC曲线采用美国TA生产的Q20差热分析仪测定(温度从200~500 ℃,升温速率10 ℃/min,氮气气氛)。

确定最低脱脂温度后,将打印样品放入脱脂烧结一体炉中,保证氮气气氛流通,流量不小于10 L/min,并调节出口阀,保持炉内微正压(不低于5 kPa),从室温缓慢加热至1 200 ℃(升温速率3 ℃/min),1 200 ℃保温0.5 h后进入烧结接段。关闭气阀,继续给炉内充氮气,直至炉内气压达到3 MPa,然后,继续升温至1 400 ℃,保温10~15 min后,以5 ℃/min的速率升温至1 700 ℃,保温2 h后随炉冷却,得到烧结样品。

2 试验结果与讨论

图1为打印后得到的陶瓷坯体,其原始尺寸(长×宽×厚)为80 mm×20 mm(端部)×2.5 mm。烧成的样品厚为2.0 mm,总长为52.1 mm,总宽为13.0 mm。由此可以计算,厚度方向的收缩率为80.0%,平面两个方向的尺寸收缩率为65.1%,烧结样品的密度达到理论密度的93.3%(按3.4 g/cm3

图 1 氮化硅样品(左)及其尺寸(右) Fig. 1 Silicon nitride samples (left) and the size (right)

图2为打印坯体0~500 ℃的全失重段,从图2中能够看出:打印坯体在0~350 ℃为初始失重段;在350~450 ℃为主要失重段;温度高于450 ℃以后,基本已无失重,坯体残重显示脱脂已完成。在0~350℃,坯体失重速度较慢,曲线曲率较小,说明此温度区间对坯体内的有机物分解影响较小;然而在350~450 ℃,坯体失重速度快、失重大,说明此处有机物受热分解严重,是坯体粘结的主要温度区间。同时,从图2中还可以看出,固化体系主要失重段曲线反映了体系失重趋势单一,说明主失重挥发过程的高分子链结构相近,该体系是一个比较理想的粘结体系。

图 2 打印坯体的TG−DSC曲线(至500 ℃全失重段) Fig. 2 TG-DSC curves of printed blank body (until 500 ℃ full weight loss)

然而,本粘结体系的内在反应并不简单。从图2中可以看到,在75,200,300,400和450 ℃附近有多个吸热峰,在150 ℃附近存在玻璃化转变过程,不同的吸热峰代表不同的物质发生受热分解反应,这与添加物的受热分解相对应。

根据TG曲线显示,在350 ℃以上时,出现主要失重过程。由此推断,分子主链在400和450 ℃附近发生了主要的气化过程。而在低于350 ℃时,依然有几处明显的吸热过程,由于玻璃化转变温度在150 ℃左右,表明体系的液化(准确地说应该是转变为粘流体)应发生在150 ℃以后两端缓慢的吸热过程中。而在温度低于150℃时,存在一个75℃左右的吸热锐峰,说明在液化前体系还发生了固相的吸热反应。在230~350 ℃,有一个不太明显的失重段,该失重段相比前面一段有明显的转折点,并表现出更快的失重速率,说明有几个次分子在该过程中有挥发过程。结合75 ℃的吸热锐峰可推断,这些次分子为75 ℃时光固化交联物裂解的小分子。而200 ℃附近的吸热峰没有伴随明显的失重变化,由此判断,该吸热峰可能是由分子的裂解或缓慢液化导致。综上可以确定,陶瓷坯体的脱脂温度需高于500 ℃,且全过程需要保持良好的保护气通风,保证大量挥发物质排出炉体。因此,确定预烧结温度为1 200 ℃(升温速率3 ℃/min)符合样品的脱脂要求。

对烧结样品进行抗拉强度及抗弯强度(三点弯曲)测试,结果如表1所示。烧结样品典型的拉伸曲线及弯曲曲线如图3图4所示。

表 1 烧结样品的抗拉强度和抗弯强度 Tab. 1 Tensile strength and bending strength of sintered samples

图 3 烧结样品典型拉伸曲线 Fig. 3 Typical tensile curve of sintered samples

图 4 烧结样品典型的弯曲曲线 Fig. 4 Typical bending curve of sintered samples

根据表1可知,光固化打印的氮化硅陶瓷样品的抗拉强度为245.9~279.8 MPa,抗弯强度为308.5~333.2 MPa,性能高于常压烧结的氮化硅陶瓷,但与热压烧结的氮化硅陶瓷相比,性能依然有较大的差距。

图3中的烧结样品的拉伸曲线可以看出,样品在拉伸时曲线出现多处波动,与图4中的光滑的弯曲曲线存在明显不同。说明样品在拉伸时与弯曲时所呈现出整体切断的截然不同,结合打印收缩率和一些形貌分析可推断,打印件在平面方向收缩率较大。因此,在烧结收缩过程中产生的孔洞缺陷较厚度方向大,拉伸时发生了层状撕裂,并且抗拉强度较小;而厚度方向烧结组织较为致密,因此弯曲曲线较为光滑,且抗弯强度较大。总体而言,样品呈现明显的各向异性。

3 结 论

(1)通过合理的浆料配方设计,使用光固化3D打印的方法成功制备出氮化硼陶瓷样品。

(2)通过TG−DSC曲线得到本文光固化脱脂温度为不低于500 ℃。

(3)结合脱脂温度,设计了脱脂预烧结到高温陈化烧结工艺,并得到了烧结样品。样品尺寸收缩率为水平方向65.1%、厚度方向80.0%;密度达到理论值的93.3%;抗拉强度245.9~279.8 MPa,抗弯强度308.5~333.2 MPa,高于常压烧结样品。

(4)平面方向大收缩引起了较多的孔洞缺陷和各向异性,致使样品拉伸时出现层状撕裂。

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